АНМ, МГП команды за SiGe: C
ASM International клиенты могут использовать новые технологии эпитаксии SiGe
Оба германия кремний и АНМ International NV и впредь вносить прорыв в высокоскоростную передачу данных ИС в качестве вспомогательных АНМ АНМ Америка объединилась с Инновации для высокопроизводительных микроэлектроники (МГП), немецкий научных исследований и разработок компании, с целью коммерциализации кремния германия углерода (SiGe: C) эпитаксии технологии.
Соглашение может дать Билтховен, базирующийся в Нидерландах, ASM (Nasdaq: ASMI) дополнительные преимущества в рыночной SiGe эпитаксии, где он уже является главным игроком.
Процесс, который МГП, разработанных совместно с Motorola инк - и которые Motorola (NYSE: MOT) уже в производстве - объединяет высокоскоростной SiGe: C ГП биполярных транзисторов (ГЭК) в стандартных и современных CMOS микросхем с 0,25- правила микрон дизайна. МГП использует Эпсилон E2000 АНМ в одной пластины эпитаксиального реактора на своем заводе во Франкфурте, Германия.
Хотя эти две компании объявили о своем согласии в прошлом месяце, АНМ и МГП работает на SiGe: C технологический процесс на некоторое время. Они первым представил технологию совместной работе на полупроводниковых Europa в прошлом году. АНМ приносит много эпитаксии опыт инструмент к столу и МГП много устройств и интеграции устройства в себе возможности дизайна, объяснил Арман Ferro, эпитаксиальных менеджер бизнес-подразделения по ASM. В дополнение к технологии обработки, две компании планируют приступить к осуществлению общих маркетинговых усилий.
"МГП и (ASM), работают вместе, как продление этого соглашения предложить полный спектр возможностей", сказал Ферро. Кроме того, соглашение не является эксклюзивным 1. АНМ сможет предложить SiGe: C технологии, что позволяет своим клиентам, что он чувствует себя предложит им значительные конкурентные преимущества.
Хотя SiGe осаждения представляет собой, возможно, 10 процентов рынка эпитаксии инструмент, инструмент АНМ занимают около 75 процентов от установленной базы SiGe эпитаксиальных реакторах. Способность предложить высокочастотных BiCMOS фишек в 0,25 микрон может открыть новые возможности для связи с АНМ чипов.
"Мы считаем, SiGe: C будет играть ключевую роль в удовлетворении растущего спроса на высокоскоростной технологии беспроводной и широкополосной", сказал Аббас Ourmazd, директор МГП.
Углерода с допингом снижает утечку сигнала
SiGe становится все более популярным, как более дешевая альтернатива арсенида галлия, в последние годы спрос на малой мощности, чипсы высокочастотных телекоммуникаций резко выросло. Допинг углерода в SiGe, скорее всего, далее, что тренд.
"Принципиально то, что делает углерода позволяют продлить HBT технологии кремний-германиевых меньшего линейного ширины и получить гораздо более высокую частоту ответа и гораздо ниже, чем утечки (германия с кремнием) без углерода," Ферро объяснил.
Использование при меньшей SiGe-линии шириной представляет собой проблему, поскольку, легированных бором в основание HBT как изолятор стремится распространять при отжиге в небольших проектов геометрии, увеличение сигнала утечки и тем самым снижая частоту ответа чипа. С добавлением углерода в SiGe бор удержаться от распространения.
"МГП выяснил все вопросы интеграции и работал из тех," Ферро отметил.
Richardson Electronics партнеров Technosystem - с полки - Краткие статьи
Memec создает региональные руководители - в готовом виде - Краткие статьи
ChipData и Trilogic EDA чернил реселлера пакет - с полки - Краткие статьи
Коса форме платы инициативы: решения более высоких скоростях, совместимость - Упаковка
IPC Китай открывает офис чтобы облегчить принятие стандартов - Упаковка - Краткие статьи
Fujitsu расширяет связи. . Micro GiGaCN - Упаковка - ДТС-260D - Краткие статьи - Каталог объявлений
Н. И. глаза системы: партнеры с ТЭК и ТИ; готовит LabVIEW FPGA
Где мой новый ИТ-системы? - Антенна - Краткие статьи
Все изменилось, и все получается остались прежними - Антенна - Краткие статьи
All American доверия - Антенна - All American Semiconductor - Краткие статьи
