Цена GaAs Создает
Компания Motorola Inc на прошлой неделе сказал, что он разработал арсенида галлия (GaAs) технологии, которая выведет его и другие группы III и V полупроводникового соединения материалов из сферы дорогих приложений нишу и в полупроводник основных, а также открыть дальнейшего применения для этих материалов.
Шаумбург, штат Иллинойс основе чипов (NYSE: MOT) говорит, что разработал метод эпитаксиального роста GaAs на регулярной пластины кремния, преодоление несоответствия в атомном уровне кристаллических структур между кремнием и сложный материал. Это оказалось проблематичным и в прошлом, как различие в кристаллических структур вызвало трещин и деформаций в этих материалов, нанесенных на кремниевые подложки.
"Я думаю, что это на самом деле мост между сложных полупроводников и кремния", сказал Padmasree Воин, вице-президент и генеральный менеджер отвечает за коммерциализацию новых технологий для Motorola. Она отметила, что всегда была запрещенной 2:58 поколений, между тем, что стало возможным с кремнием и то, что было возможно при соединении полупроводниковых материалов. "Наша технология потенциально приносит им гораздо ближе, сказала она.
Motorola сказала она добилась сочетание композиционных материалов и кремния, первые с GaAs, создавая 200mm и 300 мм пластин гибридных и рабочих усилителей мощности, которые были продемонстрированы в мобильных телефонах. GaAs и другие материалы, соединения сами по себе оказались слишком хрупкими, чтобы быть возможным для использования в больших размерах пластины.
В отличие от кремния германия (SiGe) технологии, которая пасты атомов германия в кремнии, чтобы улучшить его электрические свойства, новые техники Motorola использует аморфный слой титаната стронция между кремнием и слой GaAs, что облигации с обоими. Компания говорит, что подал заявку на более чем 270 патентов, связанных с технологией в одних только Соединенных Штатах и проводит патентов в других странах.
Помимо очевидных власти и улучшения в скорости, предлагаемые GaAs и других III и V соединений - компания предполагает чипов с переключением скоростей до 70GHz с использованием этой новой технологии - Motorola говорит, что это приведет к GaAs оптических компонентов в сочетании с традиционными ИС кремния.
"Мы считаем, что приложения будут очень интересные в оптико-электронные устройства, а также связи в высокочастотной области", сказал воин. Motorola является глядя интеграции оптических компонентов, таких как светодиоды со стандартными устройствами кремниевые CMOS на одном чипе. Воин также сообщил, что Motorola ожидает, агрессивно лицензирования технологии, как многих областях, включая и существующих рынках, таких как автомобильные системы и плоских дисплеев и на развивающихся рынках, таких как фотоэлектрических систем.
Motorola занимается коммерческой обсуждения лицензирования прямо сейчас и планирует сделать связанных объявления в ближайшем будущем. Он рассчитывает производить прототип устройства, использующего новую технологию к концу 2002 года и новые технологии готовы к устройству производства к концу 2003 года.
