Тегал развивает Etch возможности - Fab Line - Краткие статьи

Тегал Корпорация развили способность Etch ферромагнитных материалов, таких как железо-никелевый сплав, используемых при изготовлении магнитной оперативной памяти (MRAM), компания заявила на прошлой неделе. Тегал также разработал метод туннельного барьера MRAM устройств, где тонкий слой оксида алюминия лишь несколько атомных слоев толщиной использоваться в качестве диэлектрического барьера.

MRAM устройства лиц, которые используют этот тип структуры хотите, чтобы картина слои выше и ниже барьерного слоя отдельно после всего стека на хранение, в соответствии с Тегал. Для этого необходимо травление трудно железосодержащих сплавов с высокой селективностью к окиси алюминия, утверждает компания. 2 травления были выполнены на спектры Тегал в процессе модуль, который включает в себя двухчастотный радиочастотной технологии компании.